近红外量子点发光二极管用于模拟神经突触可塑性

近日，浙江大学皮孝东教授等人在Science China Materials上发表研究论文，利用聚3-己基噻吩(P3HT)空穴迁移率高和对近红外光没有吸收的特点，将其作为器件的空穴传输层以提高近红外发光二极管的性能。实验发现，P3HT改善了基于硅量子点的近红外发光二极管的空穴/电子传输不平衡的现象。

进一步地，将聚[9,9-二(3ʹ-(N,N-二甲胺基)丙基)-2,7-芴-交-2,7-(9,9-二辛基芴)](PFN)作为中间层修饰P3HT，近红外硅量子点发光二极管的性能得到了更大改善，其外量子效率和功率效率分别达到了3.4%和4.4%。

性能改善后的近红外硅量子点发光二极管可以用于模拟神经突触的可塑性，如短时程可塑性和长时程可塑性。

图1  NIR QLEDs的结构示意图(a)；平带能级图(b)；J–V 曲线(c,d) ;  EQE 与电流的关系(e)；  功率效率与电压的关系(f);  PL 衰减曲线(g)；~5 V驱动下的稳定性(h)。

该研究成果最近发表于Science China Materials, 2019, 

10.1007/s40843-019-9437-9。

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